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| φ60mm掺碲GaP单晶的研制 | |
| 引用本文： | 林泉,徐小林,金攀.φ60mm掺碲GaP单晶的研制[J].半导体技术,2006,31(11):847-850. |
| 作者姓名： | 林泉 徐小林 金攀 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088 |
| 摘 要： | 用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等.实验采用浮舟技术控制晶体直径,调整和控制参数使得晶体固液界面在拉制过程中始终凸向熔体,这对获得单晶非常重要.分析了晶体中电阻率、载流子浓度分布及位错分布.采用X射线双晶衍射对晶体质量进行了测试分析. |
| 关 键 词： | 液封直拉 浮舟技术 X射线双晶衍射 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)11-0847-04 |
| 收稿时间： | 2006-09-22 |
| 修稿时间： | 2006年9月22日 |
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