| 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器 |
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| 引用本文： | 曹玉莲,廉鹏,王青,吴旭明,何国荣,曹青,宋国峰,陈良惠.780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器[J].半导体学报,2006,27(9). |
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| 作者姓名： | 曹玉莲 廉鹏 王青 吴旭明 何国荣 曹青 宋国峰 陈良惠 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083
2. 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.
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| 关 键 词： | InGaP/AlGaAs 界面 增益 阈值电流 激光器 |
780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs High Power Semiconductor Laser |
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| Cao Yulian,Lian Peng,Wang Qing,Wu Xuming,He Guorong,Cao Qing,Song Guofeng,Chen Lianghui.780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs High Power Semiconductor Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9). |
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| Authors: | Cao Yulian Lian Peng Wang Qing Wu Xuming He Guorong Cao Qing Song Guofeng Chen Lianghui |
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