| 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制 |
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| 引用本文： | 林涛,郑凯,王翠鸾,王俊,王勇刚,仲莉,冯小明,马骁宇.实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制[J].半导体学报,2006,27(8). |
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| 作者姓名： | 林涛 郑凯 王翠鸾 王俊 王勇刚 仲莉 冯小明 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件工程中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求.
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 半导体激光器 1730nm波段 磷化铟 |
Fabrication of Practical 1730nm Waveband Laser Diodes with Buried Heterojunction Structures |
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| Lin Tao,Zheng Kai,Wang Cuiluan,Wang Jun,Wang Yonggang,Zhong Li,Feng Xiaoming,Ma Xiaoyu.Fabrication of Practical 1730nm Waveband Laser Diodes with Buried Heterojunction Structures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8). |
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| Authors: | Lin Tao Zheng Kai Wang Cuiluan Wang Jun Wang Yonggang Zhong Li Feng Xiaoming Ma Xiaoyu |
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