| 反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器 |
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| 引用本文： | 刘莹,方倩,方振贤.反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器[J].半导体学报,2006,27(12). |
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| 作者姓名： | 刘莹 方倩 方振贤 |
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| 作者单位： | 1. 黑龙江大学电子工程学院,哈尔滨,150080
2. 同济大学电子与信息工程学院,上海,201804 |
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| 基金项目： | 黑龙江省重点实验室基金，黑龙江省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.
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| 关 键 词： | 反馈式ECL记忆门的记忆性能 D锁存器 主从D触发器 5进制移位型计数器 |
Memory Property of a Feedback ECL Memory-Gate and ECL Shifting Counter |
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| Liu Ying,Fang Qian,Fang Zhenxian.Memory Property of a Feedback ECL Memory-Gate and ECL Shifting Counter[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12). |
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| Authors: | Liu Ying Fang Qian Fang Zhenxian |
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| Keywords: | |
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