| 用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力 |
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| 引用本文： | 何国荣,杨国华,郑婉华,吴旭明,王小东,曹玉莲,王青,陈良惠.用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力[J].半导体学报,2006,27(11). |
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| 作者姓名： | 何国荣 杨国华 郑婉华 吴旭明 王小东 曹玉莲 王青 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.
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| 关 键 词： | 键合 热应力 有限元分析 |
Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method |
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| He Guorong,Yang Guohua,Zheng Wanhua,Wu Xuming,Wang Xiaodong,Cao Yulian,Wang Qing,Chen Lianghui.Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11). |
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| Authors: | He Guorong Yang Guohua Zheng Wanhua Wu Xuming Wang Xiaodong Cao Yulian Wang Qing Chen Lianghui |
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| Abstract: | In conjunction with ANSYS, we use the finite element method to analyze the bonding stresses of Si/GaAs. We also apply a numerical model toinvestigate a contour map and the distribution of normal stress, shearing stress, and peeling stress, taking into full consideration the thermal expansion coefficient as a function of temperature. Novel bonding structures are proposed for reducing the effect of thermal stress as compared with conventional structures. Calculations show the validity of this new structure. |
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| Keywords: | bonding thermal stress finite element analysis |
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