| 在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导 |
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| 引用本文： | 杨华,朱洪亮,谢红云,赵玲娟,周帆,王圩.在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导[J].半导体学报,2006,27(1). |
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| 作者姓名： | 杨华 朱洪亮 谢红云 赵玲娟 周帆 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 科技部科研项目，国家科技攻关项目，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.
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| 关 键 词： | 共面波导 高阻硅 微波损耗 高频 光电子封装 |
Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate |
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| Yang Hua,Zhu Hongliang,Xie Hongyun,Zhao Lingjuan,Zhou Fan,Wang Wei.Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1). |
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| Authors: | Yang Hua Zhu Hongliang Xie Hongyun Zhao Lingjuan Zhou Fan Wang Wei |
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| Abstract: | Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates common low-resistivity silicon substrate (LRS), LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon (HRS) substrate. The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS. A CPW directly on HRS shows a loss lower than 2dB/em in the range of 0～26GHz and the process is simple,so HRS is a more suitable CPW substrate. |
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| Keywords: | coplanar waveguides high-resistivity silicon microwave loss high frequency optoelectronic packaging |
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