| 高质量InAs单晶材料的制备及其性质 |
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| 引用本文： | 赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,王应利.高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J].半导体学报,2006,27(8). |
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| 作者姓名： | 赵有文 孙文荣 段满龙 董志远 杨子祥 吕旭如 王应利 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
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| 关 键 词： | 砷化铟 掺杂 抛光 |
Growth and Properties of High Quality InAs Single Crystals |
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| Zhao Youwen,Sun Wenrong,Duan Manlong,Dong Zhiyuan,Yang Zixiang,Lü Xuru,Wang Yingli.Growth and Properties of High Quality InAs Single Crystals[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8). |
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| Authors: | Zhao Youwen Sun Wenrong Duan Manlong Dong Zhiyuan Yang Zixiang Lü Xuru Wang Yingli |
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