| 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响 |
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| 引用本文： | 金波,王曦,陈静,张峰,程新利,陈志君.氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响[J].半导体学报,2006,27(1). |
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| 作者姓名： | 金波 王曦 陈静 张峰 程新利 陈志君 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 研究了氧化对外延在SOI衬底上的SiGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对SiGe薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基SiGe薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使SiGe薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而SiGe薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行,通过对SiGe薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现:在氧化过程中,SiGe薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程.
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| 关 键 词： | 氧化 SiGe SOI 应变弛豫 |
Influence of Oxidation on Residual Strain Relaxation of SiGe Film Grown on SOI Substrate |
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| Jin Bo,Wang Xi,Chen Jing,Zhang Feng,Cheng Xinli,Chen Zhijun.Influence of Oxidation on Residual Strain Relaxation of SiGe Film Grown on SOI Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1). |
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| Authors: | Jin Bo Wang Xi Chen Jing Zhang Feng Cheng Xinli Chen Zhijun |
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