| 薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化 |
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| 引用本文： | 刘梦新,高勇,张新,王彩琳,杨媛.薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化[J].半导体学报,2006,27(6). |
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| 作者姓名： | 刘梦新 高勇 张新 王彩琳 杨媛 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学自动化学院电子工程系,西安,710048
2. 西安理工大学自动化学院电子工程系,西安,710048;华东光电集成器件研究所,蚌埠,233042 |
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| 摘 要： | 在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.
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| 关 键 词： | 全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器 |
Simulation and Optimization of FD SOI CMOS Devices at High Temperatures |
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| Liu Mengxin,Gao Yong,Zhang Xin,Wang Cailin,Yang Yuan.Simulation and Optimization of FD SOI CMOS Devices at High Temperatures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). |
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| Authors: | Liu Mengxin Gao Yong Zhang Xin Wang Cailin Yang Yuan |
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| Abstract: | |
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