| 超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质 |
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| 引用本文： | 许铭真,谭长华,段小蓉.超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究院,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.
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| 关 键 词： | 超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性 |
Saturation Behavior of Ultrathin Gate Oxides After Soft Breakdown |
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| Xu Mingzhen,Tan Changhua,Duan Xiaorong.Saturation Behavior of Ultrathin Gate Oxides After Soft Breakdown[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Xu Mingzhen Tan Changhua Duan Xiaorong |
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