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| 微波功率器件的扇形线测试电路 | |
| 引用本文： | 罗卫军,陈晓娟,梁晓新,马晓琳,刘新宇,王晓亮.微波功率器件的扇形线测试电路[J].半导体学报,2006,27(9). |
| 作者姓名： | 罗卫军 陈晓娟 梁晓新 马晓琳 刘新宇 王晓亮 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院微电子研究所,北京,100029 2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029 3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院基金 |
| 摘 要： | 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果都表明,采用扇形线的测试电路性能较好.最后采用该电路和夹具对C波段AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行了微波功率测试,测试频率为5.4GHz.实验测得最大功率增益为8.75dB,最大输出功率为33.2dBm. |
| 关 键 词： | 扇形线 测试电路 氮化镓 高电子迁移率晶体管 |
A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices |
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| Luo Weijun,Chen Xiaojuan,Liang Xiaoxin,Ma Xiaolin,Liu Xinyu,Wang Xiaoliang.A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9). | |
| Authors: | Luo Weijun Chen Xiaojuan Liang Xiaoxin Ma Xiaolin Liu Xinyu Wang Xiaoliang |
| Abstract: | With the principles of microwave circuits and semiconductor device physics, two microwave power device test circuits combined with a test fixture are designed and simulated, whose properties are evaluated by a parameter network analyzer within the frequency range from 3 to 8GHz. The simulation and experimental results verify that the test circuit with a radial stub is better than that without. As an example, a C-band AlGaN/GaN HEMT microwave power device is tested with the designed circuit and fixture. With a 5.4GHz microwave input signal, the maximum gain is 8.75dB, and the maximum output power is 33.2dBm. |
| Keywords: | radial stub test circuit GaN HEMT |
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