| 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制 |
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| 引用本文： | 赵有文,董志远,李成基,段满龙,孙文荣.半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制[J].半导体学报,2006,27(3). |
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| 作者姓名： | 赵有文 董志远 李成基 段满龙 孙文荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.
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| 关 键 词： | 磷化铟 半绝缘 缺陷 |
Influence of Deep Level Defects on Electrical Properties and Defect Control in Semi-Insulating InP |
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| Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Li Chengji,Duan Manlong,Sun Wenrong.Influence of Deep Level Defects on Electrical Properties and Defect Control in Semi-Insulating InP[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(3). |
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| Authors: | Zhao Youwen Dong Zhiyuan Li Chengji Duan Manlong Sun Wenrong |
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