| 高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究 |
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| 引用本文： | 韩德俊,孙彩明,盛丽艳,张秀荣,张海君,闫凤章,杨茹,张录,宁宝俊.高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 韩德俊 孙彩明 盛丽艳 张秀荣 张海君 闫凤章 杨茹 张录 宁宝俊 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875
2. 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 北京市凝聚态物理重点学科项目，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
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| 关 键 词： | 光晶体管 区熔硅 灵敏度 线性度 |
High Linearity Float-Zone Silicon Phototransistors with High Sensitivity and Stability |
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| Han Dejun,Sun Caiming,Sheng Liyan,Zhang Xiurong,Zhang Haijun,Yan Fengzhang,Yang Ru,Zhang Lu,Ning Baojun.High Linearity Float-Zone Silicon Phototransistors with High Sensitivity and Stability[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Han Dejun Sun Caiming Sheng Liyan Zhang Xiurong Zhang Haijun Yan Fengzhang Yang Ru Zhang Lu Ning Baojun |
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