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MOSFET1/f噪声相似性的子波鉴别方法
引用本文:杜磊,庄奕琪,陈治国.MOSFET1/f噪声相似性的子波鉴别方法[J].电子学报,2000,28(11):137-139.
作者姓名:杜磊  庄奕琪  陈治国
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
基金项目:中国科学院资助项目;696710003;
摘    要:基于傅里叶分析的功率谱密度只能反映1/f噪声的整体频率特性,子波变换模极大值能够反映1/f噪声的奇异性和非规整性,而后者才是1/f噪声最本质的特征所在.本文将这一特性用于MOSFET 1/f噪声的相似性分析.从子波变换模极大值匹配原理出发,定义了一个1/f噪声的相似系数,利用它对不同形成机制、不同微观缺陷状态、不同偏置应力作用下的MOSFET 1/f噪声进行了相似性分析,发现它可作为鉴别1/f噪声的物理起源,分析1/f噪声的微观动力学机制,筛选有潜在缺陷或损伤的MOS器件的有效手段.

关 键 词:1/f噪声  子波变换  相似性  MOSFET  
文章编号:0372-2112(2000)11-0137-03
收稿时间:1999-09-14

Wavelet Approach to Identify the Similarity of 1/f Noises in MOSFETs
DU Lei,ZHUANG Yi-qi,CHEN Zhi-guo.Wavelet Approach to Identify the Similarity of 1/f Noises in MOSFETs[J].Acta Electronica Sinica,2000,28(11):137-139.
Authors:DU Lei  ZHUANG Yi-qi  CHEN Zhi-guo
Institution:Microelectronics Institute,Xidian University,Xian 710071,China
Abstract:
Keywords:f  noise  wavelet transform  similarity  MOSFET
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