| 基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器 |
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| 引用本文： | 仇应华,王志功,朱恩,冯军,熊明珍,夏春晓. 基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器[J]. 半导体学报, 2006, 27(3): 556-559 |
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| 作者姓名： | 仇应华 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 摘 要： | 利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.
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| 关 键 词： | 压控振荡器 共面波导 容性耦合差动电流放大器 砷化镓 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)03-0556-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-31 |
| 修稿时间： | 2005-11-22 |
A 36GHz Voltage Control Oscillator in GaAs PHEMT Technology |
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| Qiu Yinghu,Wang Zhigong,Zhu En,Feng Jun,Xiong Mingzhen and Xia Chunxiao. A 36GHz Voltage Control Oscillator in GaAs PHEMT Technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(3): 556-559 |
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| Authors: | Qiu Yinghu Wang Zhigong Zhu En Feng Jun Xiong Mingzhen Xia Chunxiao |
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| Affiliation: | Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210097,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210098,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210099,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210100,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210101,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VCO CPW capacitive-source-coupled current amplifier GaAs |
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