| 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器 |
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| 引用本文： | 王书荣,王圩,刘志宏,朱洪亮,张瑞英,丁颖,赵玲娟,周帆,田慧良.宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J].半导体学报,2005,26(3):567-570. |
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| 作者姓名： | 王书荣 王圩 刘志宏 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 田慧良 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心，中国科学院半导体研究所光电子研发中心 北京100083云南师范大学太阳能研究所，昆明650092，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．
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| 关 键 词： | 压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率 宽带 偏振不灵敏 InGaAs 半导体 光放大器 Optical Amplifier 饱和输出功率 增益 光纤 注入电流 信号光 偏振灵敏度 波长范围 光带宽 工作电流 结构 混合 体材料 张应变 量子阱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0567-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月15日 |
Broad-Width Polarization-Insensitive InGaAs Semiconductor Optical Amplifier |
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| Wang Shurong,Wang Wei,Liu Zhihong,Zhu Hongliang,Zhang Ruiying,Ding Ying,Zhao Lingjuan,Zhou Fan,Tian Huiliang.Broad-Width Polarization-Insensitive InGaAs Semiconductor Optical Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):567-570. |
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| Authors: | Wang Shurong Wang Wei Liu Zhihong Zhu Hongliang Zhang Ruiying Ding Ying Zhao Lingjuan Zhou Fan Tian Huiliang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | compressively strained InGaAs quantum wells tensile strained InGaAs quasi bulk layers semiconductor optical amplifier polarization sensitivity gain saturation output power |
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