| 用电子显微镜剖析存储器器件 |
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| 引用本文： | 刘剑霜,谢锋,陈一,胡刚.用电子显微镜剖析存储器器件[J].半导体技术,2004,29(5):68-71. |
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| 作者姓名： | 刘剑霜 谢锋 陈一 胡刚 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,国家微分析中心,上海,200433;复旦大学材料科学系,国家微分析中心,上海,200433;复旦大学材料科学系,国家微分析中心,上海,200433;复旦大学材料科学系,国家微分析中心,上海,200433 |
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| 摘 要： | 简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果.
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| 关 键 词： | 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 栅氧化层 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)05-0068-04 |
| 修稿时间： | 2003年2月5日 |
Application of electron microscopy in analyzing memory device |
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| LIU Jian-shuang,XIE Feng,CHEN Yi,HU Gang.Application of electron microscopy in analyzing memory device[J].Semiconductor Technology,2004,29(5):68-71. |
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| Authors: | LIU Jian-shuang XIE Feng CHEN Yi HU Gang |
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| Abstract: | The application of scanning electron microscopy(SEM) and transmission electronmicroscopy(TEM) in analyzing memory devices are introduced. Their applicable range and measureprecision are also discussed. We can get a comprehensive result in the memory microanalysis bycombining two methods. |
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| Keywords: | SEM TEM gate oxide layer |
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