| 抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响 |
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| 引用本文： | 侯丽辉,刘玉岭,王胜利,孙薇,时慧玲,张伟.抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响[J].半导体技术,2008,33(8). |
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| 作者姓名： | 侯丽辉 刘玉岭 王胜利 孙薇 时慧玲 张伟 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130;河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130;河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130;河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130;河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130;河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，河北省重点学科冀教高资助项目 |
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| 摘 要： | 影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料 碱 活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究.结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率.
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| 关 键 词： | 铌酸锂 去除速率 抛光液 |
Effect of Polishing Slurry on Removal Rate of LiNbO_3 CMP |
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| Hou Lihui,Liu Yuling,Wang Shengli,Sun Wei,Shi Huiling,Zhang Wei.Effect of Polishing Slurry on Removal Rate of LiNbO_3 CMP[J].Semiconductor Technology,2008,33(8). |
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| Authors: | Hou Lihui Liu Yuling Wang Shengli Sun Wei Shi Huiling Zhang Wei |
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| Institution: | Hou Lihui,LiuYuling,Wang Shengli,Sun Wei,Shi Huiling,Zhang Wei(Institute of Microelectronics Technology , Materials,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LiNbO3 removal rate polishing slurry |
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