| InSb抛光片表面粗糙度分析 |
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| 引用本文： | 刘承霖,刘玉岭,贾英茜,张伟.InSb抛光片表面粗糙度分析[J].微纳电子技术,2006,43(12):592-594. |
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| 作者姓名： | 刘承霖 刘玉岭 贾英茜 张伟 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 研究了影响InSb抛光片表面的粗糙度的因素,通过实验数据及理论分析,用化学机械抛光的方法有效的降低了InSb抛光片表面的粗糙度。
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| 关 键 词： | 锑化铟 粗糙度 化学机械抛光 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)12-0592-03 |
| 收稿时间： | 2006-06-22 |
| 修稿时间： | 2006年6月22日 |
The Analysis for Surface Roughness of InSb |
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| LIU Cheng-lin,LIU Yu-ling,JIA Ying-qian,ZHANG Wei.The Analysis for Surface Roughness of InSb[J].Micronanoelectronic Technology,2006,43(12):592-594. |
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| Authors: | LIU Cheng-lin LIU Yu-ling JIA Ying-qian ZHANG Wei |
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| Institution: | Microelectronics Institute of Hebei Industrial University, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | The factors of impacting InSb crystal surface roughness were researched. Through theoretical and experimental data analysis, was reduced effectively by chemical mechanical polishing methods the surface roughness of the InSb wafers. |
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| Keywords: | InSb roughness CMP |
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