| GaxN2:Zn3-x薄膜的分子束外延生长及其光学和电子输运性能表征 |
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| 引用本文： | 吴鹏.GaxN2:Zn3-x薄膜的分子束外延生长及其光学和电子输运性能表征[J].原子与分子物理学报,2023,40(6):062002-78. |
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| 作者姓名： | 吴鹏 |
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| 作者单位： | 上海科技大学 |
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| 摘 要： | 本文采用分子束外延技术，通过对金属分子束的精确控制，在MgO(002)基底上成功生长了GaxN2∶Zn3-x合金薄膜.高分辨率单晶X光衍射仪表征结果表明GaxN2∶Zn3-x合金薄膜仍是以(400)Zn3N2为主导的复合晶体结构，对衍射数据的分析得到该薄膜晶粒尺寸小.用扫描电子显微镜和能谱射线分析仪对其表面和成分做了深入的分析和讨论，在固定的金属流量比的生长环境下，不同厚度的样品在成膜后x均为0.65,化学通式Zn2.35Ga0.65N2.该结果表明Ga元素属于重度掺杂，同时也体现了分子束外延技术在共掺杂技术中的优越性.本文也测量并讨论了Zn2.35Ga0.65N2薄膜的光学性能，实验得到的1.85 eV的光学带隙与理论推算基本吻合，说明Ga的掺入有Ga-N结构...
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| 关 键 词： | 分子束外延 GaxN2∶Zn3-x薄膜 光学带隙 电子输运性质 |
| 收稿时间： | 2022/6/4 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/6/16 0:00:00 |
Molecular beam epitaxy growth, optical and electrical transport properties characterization of GaxN2:Zn3-x alloy films |
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| Wu Peng.Molecular beam epitaxy growth, optical and electrical transport properties characterization of GaxN2:Zn3-x alloy films[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2023,40(6):062002-78. |
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| Authors: | Wu Peng |
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| Institution: | ShanghaiTech University |
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| Keywords: | Molecular beam epitaxy Zn3-xGaxN2 alloy films optical bandgap electrical transport |
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