| 分子束外延Mn4N单晶薄膜的反常霍尔效应研究 |
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| 引用本文： | 黄盈,赵治贤,胡雍,李丹.分子束外延Mn4N单晶薄膜的反常霍尔效应研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(6):062001-72. |
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| 作者姓名： | 黄盈 赵治贤 胡雍 李丹 |
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| 作者单位： | 贵州师范大学,贵州师范大学,贵州师范大学,贵州师范大学 |
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| 摘 要： | Mn4N是立方相的反钙钛矿型晶体，具有显著的亚铁磁性和反常霍尔效应.该文利用等离子辅助分子束外延在MgO(100)衬底上生长厚度为40 nm的Mn4N(100)单晶薄膜，通过X射线衍射θ扫描和φ扫描，证实外延层的结构符合Mn4N单晶的空间结构特征；化学态测试结果表明Mn4N(100)薄膜内部存在Mn0、Mn2+和Mn4+等几种价态，其实际化学式为Mn3.6N,薄膜中存在富余的N元素；电学测试数据表明Mn4N(100)薄膜具有以电子为载流子的反常霍尔效应(在正磁场中得到负的霍尔电阻率),正常霍尔效应的贡献约占千分之六，其反常霍尔电阻率随着测试温度升高5 K～350 K单调增大，说明温度升高导致电子散射现象加剧.通过对测试数据分析可以推断，在5 K～50 K和50 K～75 K温度范围，反常霍尔效应的来源可分别归结为电子斜散射机制和电子边跳机制.在75 K～350 K这一温度范围内，反常霍尔效应...
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| 关 键 词： | 反常霍尔效应 Mn4N单晶薄膜 分子束外延 |
| 收稿时间： | 2022/6/4 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/6/26 0:00:00 |
Study on the anomalous Hall effect in Mn4N single crystal films grown by molecular beam epitaxy |
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| Huang Ying,Zhao Zhi-Xian,Hu Yong and Li Dan.Study on the anomalous Hall effect in Mn4N single crystal films grown by molecular beam epitaxy[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2023,40(6):062001-72. |
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| Authors: | Huang Ying Zhao Zhi-Xian Hu Yong and Li Dan |
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| Institution: | Guizhou Normal University,Guizhou Normal University,Guizhou Normal University and Guizhou Normal University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Anomolous Hall effects Mn4N single crystal films Molecular beam epitaxy |
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