| 铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究 |
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| 引用本文： | 胡岳华,何捍卫,黄可龙.铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究[J].电化学,2001,7(4):480-486. |
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| 作者姓名： | 胡岳华 何捍卫 黄可龙 |
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| 作者单位： | 1. 中南大学矿物工程系
2. 中南大学化学化工学院, |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金资助 (5 992 5 412 )，湖南省优秀中青年科技基金 (98JZY2 16 7)资助项目 |
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| 摘 要： | 应用电化学测试技术研究了介质浓度（包括pH值）和成膜剂浓度对铜表面成膜及铜抛光过程的影响，探讨了成膜厚度及其致密性与抛光压力、抛光转速的关系，考察了压力及转速对抛光过程的作用，找出影响抛光过程及抛光速率的电化学变量。用腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化解释了抛光过程的电化学机理，通过成膜速率及除膜速率的对比得出抛光过程的控制条件。证明了在氨水溶液介质中、以铁氰化钾为成膜剂、纳米γ-Al2O3为磨粒的抛光液配方是可行的，其抛光控制条件为压力10psi、转速300r/min。
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| 关 键 词： | 铜 CMP 电化学行为 氨水 化学抛光 铁氰化钾抛光液 机械抛光 |
| 文章编号： | 1006-3471(2001)04-0480-07 |
| 修稿时间： | 2001年5月12日 |
Study on Electrochemical Behavior of Copper in NH3·H2O Solution Medium Including K3[Fe(CN)6] during CMP |
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| HU Yue hua ,HE Han wei ,H UANG Ke nong.Study on Electrochemical Behavior of Copper in NH3·H2O Solution Medium Including K3[Fe(CN)6] during CMP[J].Electrochemistry,2001,7(4):480-486. |
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| Authors: | HU Yue hua HE Han wei H UANG Ke nong |
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| Institution: | HU Yue hua 1,HE Han wei 2*,H UANG Ke nong 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Copper CMP Electrochemical Behaviour |
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