| ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究 |
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| 引用本文： | 郑畅达,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江风益.ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究[J].光学学报,2006,26(3). |
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| 作者姓名： | 郑畅达 王立 方文卿 蒲勇 戴江南 江风益 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目
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电子信息产业发展基金 |
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| 摘 要： | 用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.
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| 关 键 词： | 薄膜光学 ZnO/AlN/Si薄膜生长 常压金属化学气相沉积法 在线监测 结构性能 光致发光 |
The Growth and Properties of ZnO Film Grown on Si(111) Substrate with AlN Buffer by MOCVD |
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| Zheng Changda,Wang Li,Fang Wenqing,Pu Yong,Dai Jiangnan,Jiang Fengyi.The Growth and Properties of ZnO Film Grown on Si(111) Substrate with AlN Buffer by MOCVD[J].Acta Optica Sinica,2006,26(3). |
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| Authors: | Zheng Changda Wang Li Fang Wenqing Pu Yong Dai Jiangnan Jiang Fengyi |
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