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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半导体超晶格量子阱研究
作者姓名:
徐仲英
孔梅影
摘 要:
自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型.
关 键 词:
半导体超晶格
超晶格量子阱
薄层
异质结
势阱
外延方法
光电器件
价带
能级
势垒
收稿时间:
1989-10-12
本文献已被
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