| 立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析 |
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| 引用本文： | 李志明,郝跃,张进成,陈炽,薛军帅,常永明,许晟瑞,毕志伟. 立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 1072-1077 |
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| 作者姓名： | 李志明 郝跃 张进成 陈炽 薛军帅 常永明 许晟瑞 毕志伟 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，国防预研基金 |
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| 摘 要： | 在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.
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| 关 键 词： | MOCVD 感应加热 热分析 基座, |
Thermal Analysis of Susceptor Structure with Ring Groove in Vertical MOCVD Reactor |
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| LI Zhi-ming,HAO Yue,ZHANG Jin-cheng,CHEN Chi,XUE Jun-shuai,CHANG Yong-ming,XU Sheng-rui,BI Zhi-wei. Thermal Analysis of Susceptor Structure with Ring Groove in Vertical MOCVD Reactor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 1072-1077 |
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| Authors: | LI Zhi-ming HAO Yue ZHANG Jin-cheng CHEN Chi XUE Jun-shuai CHANG Yong-ming XU Sheng-rui BI Zhi-wei |
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| Keywords: | MOCVD |
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