| 适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法 |
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| 引用本文： | 赵平,魏同立.适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法[J].固体电子学研究与进展,1999,19(3):246-253. |
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| 作者姓名： | 赵平 魏同立 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心!南京，210096，东南大学微电子中心!南京，210096，东南大学微电子中心!南京，210096 |
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| 摘 要： | 讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。
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| 关 键 词： | 蒙特卡罗方法 自由飞行时间 散射 深亚微米器件 |
Monte Carlo Method for Deep Submicrometer Device Simulation |
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| Zhao Ping,Wei Tongli,Wu Jin.Monte Carlo Method for Deep Submicrometer Device Simulation[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1999,19(3):246-253. |
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| Authors: | Zhao Ping Wei Tongli Wu Jin |
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| Abstract: | In this paper, we discuss Monte Carlo Method (MCM) for semiconductor device simulation. The self scattering method for determining free flying time is discussed. The relations among Boltzmann Transport Model(BTM), Drift Diffusion Model(DDM) and Hydro Dynamic Model(HDM) are described. |
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| Keywords: | Monte Carlo Method(MCM) Free flying Time Scattering Deep Submicrometer Device |
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