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| 高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压 | |
| 引用本文： | 程兆年,袁云芳,王渭源.高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压[J].半导体学报,1982,3(6):482-492. |
| 作者姓名： | 程兆年 袁云芳 王渭源 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (程兆年，袁云芳)，中国科学院上海冶金研究所(王渭源) |
| 摘 要： | 由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构. |
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