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| MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究 | |
| 引用本文： | 李念龙,于奇,王凯,于文华,董铸祥.MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究[J].微电子学,2013,43(3). |
| 作者姓名： | 李念龙 于奇 王凯 于文华 董铸祥 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
| 摘 要： | 研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真. |
| 关 键 词： | MOS γ辐射 总剂量辐射 陷阱电荷 TCAD 仿真模型 |
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