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Hg1—xCdxTeMIS器件G—V特性
引用本文：黄河,童斐明.Hg1—xCdxTeMIS器件G—V特性[J].红外研究,1989,8(6):401-408.
作者姓名：黄河  童斐明
摘    要：
关 键 词：碲镉汞  MIS器件  电容  电压  半导体
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