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| 铁电存储器技术 | |
| 引用本文： | 黄寅,徐子亮.铁电存储器技术[J].半导体技术,2000,25(3):1-4. |
| 作者姓名： | 黄寅 徐子亮 |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030 |
| 摘 要： | 详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。 |
| 关 键 词： | 铁电存储器 非易失性存储器 工作原理 |
FRAM Technique |
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| Huang Yin,Xu Ziliang.FRAM Technique[J].Semiconductor Technology,2000,25(3):1-4. | |
| Authors: | Huang Yin Xu Ziliang |
| Abstract: | |
| Keywords: | FRAM NVM Technique |
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