| 离子注入聚醚砜薄膜的介电频谱分析 |
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| 引用本文： | 岳喜成.离子注入聚醚砜薄膜的介电频谱分析[J].半导体技术,2005,30(5):24-27. |
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| 作者姓名： | 岳喜成 |
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| 作者单位： | 宝鸡文理学院物理系,陕西,宝鸡,721007 |
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| 摘 要： | 离子注入纯聚醚砜(PES)薄膜的介电损耗在0～10MHz内小于0.062,没有松驰特性,这说明用离子注入在纯P E S膜上制作元件和连线时,导电层与绝缘层复合介质在很宽的频率范围内(0～10MHz)没有松弛特性,即连线和连线之间及连线和基底之间没有松弛特性,纯PES是用离子注入法制作布线的理想材料.
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| 关 键 词： | 离子注入 聚醚砜 介电频谱 表面电导率 德拜方程 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)05-0024-04 |
| 修稿时间： | 2004年8月16日 |
Analysis of Dielectric Frequency Spectra of Ion Implanted Polyether Sulfone Film |
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| YUE Xi-cheng.Analysis of Dielectric Frequency Spectra of Ion Implanted Polyether Sulfone Film[J].Semiconductor Technology,2005,30(5):24-27. |
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| Authors: | YUE Xi-cheng |
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| Abstract: | Dielectric loss of ion implanted pure PES film is less than 0.062 within 0~10MHz andwithout relaxation characteristics. Making connect lines on PES film with ion implantation, it has norelaxation characteristics between those connect lines within 0~10MHz, pure PES film is an idealmaterial for making connect lines with ion implantation. |
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| Keywords: | ion implantation polyether sulfone(PES) dielectric frequency spectra surfaceconductivity Debye equation |
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