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一种高性能CMOS采样/保持电路
引用本文:罗阳,杨华中.一种高性能CMOS采样/保持电路[J].微电子学,2005,35(6):658-661.
作者姓名:罗阳  杨华中
作者单位:清华大学,电子工程系,电路与系统教研室,北京,100084
基金项目:中国科学院资助项目,国家科技攻关项目
摘    要:介绍了一种高性能CMOS采样/保持电路.该电路在3 V电源电压下,60 MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到90 dB的最大信号谐波比(SFDR)和80 dB的信噪比(SNR).电路采用全差分结构、底板采样、开关栅电压自举(bootstrap)和高性能的增益自举运算放大器.采用0.18 μm CMOS工艺库,对电路进行了Hspice仿真验证.结果表明,整个电路消耗静态电流5.8 mA.

关 键 词:采样/保持电路  开关栅电压自举  增益自举运算放大器
文章编号:05033(2005)06-0658-04
收稿时间:2005-01-17
修稿时间:2005-01-172005-04-18

A High Performance CMOS Sample and Hold Circuit
LUO Yang,YANG Hua-zhong.A High Performance CMOS Sample and Hold Circuit[J].Microelectronics,2005,35(6):658-661.
Authors:LUO Yang  YANG Hua-zhong
Institution:Circuits and Systems Lab, Dept. of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, P, R, China
Abstract:
Keywords:CMOS
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