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| 高温闪烁晶体Ce：YAP的生长研究 | |
| 引用本文： | 李涛,徐月泉,等.高温闪烁晶体Ce：YAP的生长研究[J].人工晶体学报,2002,31(2):85-89. |
| 作者姓名： | 李涛 徐月泉 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800 [2]上海中科嘉浦光电子材料有限公司，上海201821 |
| 摘 要： | Ce:YAP晶体具有优良的闪烁性能，其主要特点是光产额大，衰减时间短，发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配，在γ射线探测，核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce:YAP晶体，成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题，并对晶体生长过程中的爬料，纯YAP晶体着色等现象作了讨论。X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm，吸收测试则显示晶体在254nm,366nm处在两个吸收峰。 |
| 关 键 词： | 高温闪烁晶体 Ce：YAP 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱 铈掺杂 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)02-0085-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月26 |
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