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单向双端口SRAM的测试算法
引用本文:刘伟,周玉梅,叶青.单向双端口SRAM的测试算法[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):89-92.
作者姓名:刘伟  周玉梅  叶青
作者单位:中国科学院微电子中心,北京,100029;中国科学院微电子中心,北京,100029;中国科学院微电子中心,北京,100029
摘    要:描述了一种检测单向双端口 SRAM失效的算法 ,采用了基于字的测试方法 ,可以有效地检测字间失效、字内失效和同时读写失效 ,具有失效覆盖率高和测试时间复杂度低的优点。

关 键 词:单向双端口静态存储器  失效模型  队列测试
文章编号:1000-3819(2005)01-089-04
修稿时间:2003年3月5日

Test Algorithm for Register File Memories
LIU Wei,ZHOU Yumei,YE Qing.Test Algorithm for Register File Memories[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2005,25(1):89-92.
Authors:LIU Wei  ZHOU Yumei  YE Qing
Abstract:This paper describes an algorithm designed for testing register file memories (o ne read p ort and one write port). It can sensitize and detect memory cell faults, couplin g faults between cells, address decoder faults and faults caused by reading and writing simultaneously.
Keywords:register file memories  function fault model  m arch test
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