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紫外激光切割Si片的实验研究
引用本文:楼祺洪,章琳,叶震寰,董景星,魏运荣.紫外激光切割Si片的实验研究[J].激光技术,2002,26(4):250-251,254.
作者姓名:楼祺洪  章琳  叶震寰  董景星  魏运荣
作者单位:1.中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海, 201800
基金项目:八六三-416支持项目
摘    要:报道了用193nm准分子激光切割硅片的实验结果。采用柱透镜光学系统及“热劈裂法”获得小于15μm的切缝及小于5μm的切面不平整度。

关 键 词:紫外激光    激光切割    硅片
文章编号:1001-3806(2002)04-0250-02
收稿时间:2001/8/27
修稿时间:2002-03-06

Experimental research on Si cutting by using UV excimer laser
Lou Qihong,Zhang Lin,Ye Zhenhuan,Dong Jingxing,Wei Yunrong.Experimental research on Si cutting by using UV excimer laser[J].Laser Technology,2002,26(4):250-251,254.
Authors:Lou Qihong  Zhang Lin  Ye Zhenhuan  Dong Jingxing  Wei Yunrong
Abstract:In this paper,the experimental results of Si wafer cutting by 193nm excimer laser are reported.By using cylinder focus system and "thermal-splits" technique,less than 15μm cutting gap with 5μm fluctuation of cutting edge are obtained.
Keywords:UV laser  cutting  Si wafer  
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