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| 低温下低掺杂硅P—N结正向伏安特性的异常现象 | |
| 作者姓名： | 殷之义 顾锦模 |
| 作者单位： | 上海科技大学物理系(殷之义，顾锦模，陈石龄)，上海科技大学物理系(金汴骏) |
| 摘 要： | 实验观察到低温下低掺杂硅 P-N 结的异常现象.在14—25K 的温区里,出现正向伏安特性曲线交叉、击穿电压峰以及当正向注入电流恒定时正向电压随温度变化特性呈现非单调性.对异常现象作了讨论,提出低温下“热”载流子的存在引起杂质碰撞电离可能是产生这些现象的原因. |
| 关 键 词： | 低温下 硅P－N结 伏安特性 半导体 |
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