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| 1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器 | |
| 引用本文： | 肖建伟,薄报学,衣茂斌,马玉珍,高鼎三.1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器[J].半导体学报,1988,9(6):665-667. |
| 作者姓名： | 肖建伟 薄报学 衣茂斌 马玉珍 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 长春 (肖建伟，薄报学，衣茂斌，马玉珍)，吉林大学电子科学系 长春(高鼎三) |
| 摘 要： | 我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％. |
| 关 键 词： | InP/InGaAsP激光器 多层限制 低阈值 基横模 结电容 |
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