| 分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究 |
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| 引用本文： | 徐晓华,牛智川,倪海桥,徐应强,张纬,贺正宏,韩勤,吴荣汉,江德生.分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究[J].物理学报,2005,54(6):2950-2954. |
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| 作者姓名： | 徐晓华 牛智川 倪海桥 徐应强 张纬 贺正宏 韩勤 吴荣汉 江德生 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：90201026， 60137020）、863计划资助和中国博士后科学基金 支持的课题. |
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| 摘 要： | 报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构 为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.
关键词：
分子束外延
量子阱
二型发光
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| 关 键 词： | 分子束外延 量子阱 二型发光 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(06)2950-05 |
| 收稿时间： | 2004-05-14 |
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy |
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| XU Xiao-hua,NIU Zhi-chuan,Ni Hai-Qiao,XU Ying-Qiang,Zhang Wei,He Zheng-Hong,HAN Qin,WU Rong-han,Jiang De-Sheng.Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy[J].Acta Physica Sinica,2005,54(6):2950-2954. |
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| Authors: | XU Xiao-hua NIU Zhi-chuan Ni Hai-Qiao XU Ying-Qiang Zhang Wei He Zheng-Hong HAN Qin WU Rong-han Jiang De-Sheng |
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| Abstract: | Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyG a1-yAs)/GaAs bilayer quantum wells (BQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) were carried out. Temperature and excitation power dependent photoluminescence (PL) s tudy indicated that the band alignment of the BQWs is type - Ⅱ. The origin of the double-peak luminescence was discussed. Under optimized growth conditions, t he PL emission wavelength from the BQWs has been extend up to 131 μm with a s ingle peak at room temperature. |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy bilayer quantum well type-Ⅱ luminesce nce |
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