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A two-dimensional fully analytical model with polarization effect for off-state channel potential and electric field distributions of GaN-based field-plated high electron mobility transistor
Authors:
Mao Wei
;She Wei-Bo
;Yang Cui
;Zhang Chao
;Zhang Jin-Cheng
;Ma Xiao-Hua
;Zhang Jin-Feng
;Liu Hong-Xia
;Yang Lin-An
;Zhang Kai
;Zhao Sheng-Lei
;Chen Yong-He
;Zheng Xue-Feng
;Hao Yue
Abstract:
analytical model of GaN-based field-plated HEMT, polarization effect, potential, electric field
Keywords:
analytical model of GaN-based field-plated HEMT
polarization effect
potential
electric field
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