| XF_3(X=N,P,As)分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算 |
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| 引用本文： | 杨文艳,陈恒杰.XF_3(X=N,P,As)分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算[J].原子与分子物理学报,2014(4). |
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| 作者姓名： | 杨文艳 陈恒杰 |
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| 作者单位： | 重庆科技学院数理学院; |
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| 基金项目： | 重庆市自然科学基金项目(CSTC2011BB0110) |
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| 摘 要： | 应用三阶代数图-表构建法(third-order algebraic diagrammatic construction scheme简写为ADC(3))计算了XF3(X=N,P,As)的价层垂直电离势(VIP).结果表明:内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小;来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响;基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知:在实验分子结构和cc-pVDZ基组下,应用ADC(3)得到的电离势与实验值整体上差距最小;ADC(3)计算的第一电离势往往小于实验值约0.4~0.8eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01~0.3eV;随基组增大,ADC(3)结果与实验值偏差明显增大.因此,利用ADC(3)方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得.
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| 关 键 词： | XF(X=N P As) 价层垂直电离势 三阶代数图-表构建法 |
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