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高性能单纵模工作的InGaAsP/InP DFB—DC—PBH激光器
引用本文:M.KITAMURA ,沈家树.高性能单纵模工作的InGaAsP/InP DFB—DC—PBH激光器[J].半导体光电,1985(1).
作者姓名:M.KITAMURA  沈家树
摘    要:本文报导了具有双沟道平面隐埋异质结的InGaAsP/InP分布反馈激光器(DFB—DC—PBH LD′S)的激射特性,这种激光器具有端面倾斜和抗反射(AR)涂层结构。1.3μm波段的DFB—DC—PBH LD′S在室温时达到了超过55mw的高功率CW单纵模(SLM)工作和超过105℃时的高温度CWSLM工作,而在2Gb/s高速直接调制下得到了稳定的SLM工作。1.5μm波段的DFB—DC—PBH LD′S也显示出了极好的DFB激射特性,例如高于20mw的输出功率和超过75℃的高温CW SLM工作。也研究了1.3μmDFB—DC—PBH LD′S在实验中所得到的DFB—SLM工作,结果表明这种器件对光纤通信系统的实际应用带来了很大的希望。

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