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| 表面印迹法制备钴(Ⅱ)离子印迹硅胶及性能 | |
| 作者姓名： | 范洪涛 隋殿鹏 赵立兴 任泽岩 袁自云 周勤 孙挺 |
| 作者单位： | 1. 东北大学化学系, 沈阳 110004; 2. 沈阳化工大学应用化学学院, 沈阳 110142 |
| 基金项目： | 国家青年科学基金，辽宁省博士科研启动基金 |
| 摘 要： | 采用表面印迹技术, 以Co(Ⅱ)离子作为印迹离子, 二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子, 硅胶为支撑物, 环氧氯丙烷为交联剂, 在硅胶表面制备Co(Ⅱ)离子印迹硅胶材料, 利用红外光谱仪、扫描电镜和热重分析仪等进行了表征, 采用平衡吸附法研究了印迹硅胶材料的吸附性能和选择识别能力. 结果表明, 印迹硅胶材料和非印迹硅胶材料的最大吸附量分别为35.2和6.5 mg/g; 印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子的吸附行为符合Langmuir模型; 20 min即可达到吸附平衡; 当pH=3.9~7.8时, 印迹硅胶材料保持了较好的吸附容量; 印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子具有较强的选择性识别能力; 重复使用时性能稳定. |
| 关 键 词： | 钴 二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷 吸附 离子印迹硅胶 |
| 收稿时间： | 2011-03-10 |
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