| 大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 |
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| 引用本文： | 王俊,马骁宇,林涛,郑凯,冯小明.大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计[J].半导体学报,2005,26(12):2449-2454. |
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| 作者姓名： | 王俊 马骁宇 林涛 郑凯 冯小明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.
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| 关 键 词： | 大功率808nm半导体激光器 GaAsP/AlGaAs量子阱激光器 分别限制异质结构 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)12-2449-06 |
| 修稿时间： | 2005年6月16日 |
Design of SCH Structure for High-Power Broad Area 808nm GaAsP/AlGaAs Quantum-Well Lasers |
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| Wang Jun,Ma Xiaoyu,Lin Tao,Zheng Kai and Feng Xiaoming.Design of SCH Structure for High-Power Broad Area 808nm GaAsP/AlGaAs Quantum-Well Lasers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):2449-2454. |
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| Authors: | Wang Jun Ma Xiaoyu Lin Tao Zheng Kai and Feng Xiaoming |
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| Institution: | National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-power 808nm semiconductor laser GaAsP/AlGaAs quantum-well laser separate-confinement heterostructure |
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