600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析 |
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引用本文: | 张立,郑继文,赵进华,秦芝,杨永峰,胡青元,张纯,王积成,郭天瑞,靳根明.600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析[J].中国物理 C,1998,22(12):1068-1073. |
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作者姓名: | 张立 郑继文 赵进华 秦芝 杨永峰 胡青元 张纯 王积成 郭天瑞 靳根明 |
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作者单位: | 中国科学院近代物理研究所 兰州 730000 |
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摘 要: | 报道了600MeV 18O轰击natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.
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关 键 词: | 同位素分布 独立截面 反应机制 |
收稿时间: | 1997-10-21 |
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