| 刻蚀与退火对GaN欧姆接触的影响 |
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| 引用本文： | 丁红胜,江忠胜,鲁丽君,丁国建.刻蚀与退火对GaN欧姆接触的影响[J].物理实验,2008,28(2):8-13. |
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| 作者姓名： | 丁红胜 江忠胜 鲁丽君 丁国建 |
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| 作者单位： | 北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083 |
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| 摘 要： | 使用干法刻蚀在GaN LED晶片上刻蚀n区,用电子束蒸发方法在n型GaN表面上淀积Ti/Al双金属层作为接触电极,在N2环境中进行退火.探讨不同的刻蚀方法和刻蚀条件及不同的退火条件对Ti/Al-n型GaN间欧姆接触的影响.
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| 关 键 词： | n-GaN 欧姆接触 刻蚀 退火 刻蚀方法 退火条件 欧姆接触 影响 ohmic contact condition annealing etching 环境 接触电极 双金属层 淀积 表面 电子束蒸发 晶片 干法刻蚀 使用 |
| 文章编号： | 1005-4642（2008）02-0008-06 |
| 收稿时间： | 2007-08-20 |
| 修稿时间： | 2007-10-22 |
Effect of etching and annealing condition on GaN ohmic contact |
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| DING Hong-sheng,JIANG Zhong-sheng,LU Li-jun,DING Guo-jian.Effect of etching and annealing condition on GaN ohmic contact[J].Physics Experimentation,2008,28(2):8-13. |
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| Authors: | DING Hong-sheng JIANG Zhong-sheng LU Li-jun DING Guo-jian |
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| Abstract: | Dry etching is used to expose the n area on GaN-based LED chip, and Ti/Au contact is deposited onto the n-GaN by e-beam evaporation, then the wafer is annealed in N_2 environment. The influence of different etching methods and power and different annealing conditions on the ohmic contact are investigated and discussed. |
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| Keywords: | n-GaN ohmic contact etching annealing |
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