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| 扫描探针印刻术的新进展 | |
| 作者姓名： | 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 |
| 摘 要： | 在“超越紫外线光刻极限的新工艺”［１］短文中介绍过：集成电路中线条的宽度到２００３—２００６年以后将降到光刻工艺的极限１００ｎｍ以下，目前正在研制的光刻极限以后的新工艺有５种，其中的一种是利用几十ｋｅＶ高能量电子束进行印刻．这种电子束的直径可以小到ｎ... |
| 关 键 词： | 光刻 扫描探针 印刻术 技术进展 |
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