| SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响 |
| |
| 引用本文： | 刘姗姗,滕枫,徐征,刘明,孙世菊,徐叙瑢. SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响[J]. 光谱学与光谱分析, 2004, 24(7): 790-794 |
| |
| 作者姓名： | 刘姗姗 滕枫 徐征 刘明 孙世菊 徐叙瑢 |
| |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京,100044 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(90301004),高等学校博士学科专项科研基金(20020004004),北京市自然科学基金(2052015)及北京交通大学论文基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 研究了有机 /无机复合结构ITO/SiO2 /MEH PPV/SiO2 /Al器件的类阴极射线发光性质 ,电子经过SiO2层加速后 ,激发MEH PPV层发光。发光除了MEH PPV激子发光峰外 ,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰。通过 2个发光峰随SiO2 层的厚度的变化规律 ,研究了SiO2 对电子的加速能力。
|
| 关 键 词： | 类阴极射线发光 异质结 电子加速 |
| 文章编号： | 1000-0593(2004)07-0790-05 |
| 修稿时间： | 2002-10-26 |
The Influence of Thickness of SiO2 on the Electron Acceleration in Cathodluminescence-Like Emission |
| |
| Shan-shan Liu,Feng Teng,Zheng Xu,Ming Liu,Shi-ju Sun,Xu-rong Xu. The Influence of Thickness of SiO2 on the Electron Acceleration in Cathodluminescence-Like Emission[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2004, 24(7): 790-794 |
| |
| Authors: | Shan-shan Liu Feng Teng Zheng Xu Ming Liu Shi-ju Sun Xu-rong Xu |
| |
| Affiliation: | Institute of Optoelectronics Technology, Key Laboratory of Information Storage and Display, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China. |
| |
| Abstract: | The authors investigated the property of cathodluminescence-like(CL-like) emission in the device of MEH-PPV sandwiched between two SiO 2 layers. The authors observed in addition to the inherent electroluminescence of MEH-PPV, a shorter emission peak which is considered to be corresponding to HOMO-LUMO transition. From the relative change of these two peaks with the variation of the thickness of SiO 2, The authors studied the electron acceleration ability of SiO 2. |
| |
| Keywords: | Cathodoluminescence-like emission Heterojunction Electron acceleration |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
