| ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响 |
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| 引用本文： | 周勋,田坤,赵文伯,龙维刚.ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响[J].半导体光电,2013,34(1):79-83,87. |
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| 作者姓名： | 周勋 田坤 赵文伯 龙维刚 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 对高Al组分AlxGa1-xN(x=50％)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用.XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻蚀之后的AlGaN表面其表面氮空位VN明显增多,且Al2p、Ga3d等峰位均向高结合能方向漂移.分析讨论发现,ICP腔室压力过小或过大均不利于获得低损伤的刻蚀表面,此外,低温热退火(380℃-200s)对表面氮空位有一定的修复作用,但修复效果较为有限.
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| 关 键 词： | 高Al组分AlGaN ICP刻蚀 XPS 表面损伤 低温热退火 |
| 收稿时间： | 2012/8/23 0:00:00 |
Effects of ICP Pressure on the Surface Damages of Etched AlGaN |
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| ZHOU Xun,TIAN Kun,ZHAO Wenbo and LONG Weigang.Effects of ICP Pressure on the Surface Damages of Etched AlGaN[J].Semiconductor Optoelectronics,2013,34(1):79-83,87. |
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| Authors: | ZHOU Xun TIAN Kun ZHAO Wenbo and LONG Weigang |
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| Institution: | Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high Al content AlGaN ICP XPS surface damage low-temperature annealing |
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