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ZnS晶体的化学气相沉积生长
引用本文:杨曜源,李卫,张力强,蔡以超,王向阳,肖红涛,田鸿昌,东艳萍,方珍意,郝永亮.ZnS晶体的化学气相沉积生长[J].人工晶体学报,2004,33(1):92-95.
作者姓名:杨曜源  李卫  张力强  蔡以超  王向阳  肖红涛  田鸿昌  东艳萍  方珍意  郝永亮
作者单位:人工晶体研究院,北京,100018
摘    要:本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70;以上.

关 键 词:化学气相沉积法  硫化锌  红外材料  
文章编号:1000-985X(2004)01-0092-04

Growth of ZnS Crystals by CVD Technique
YANG Yao-yuan,LI Wei,ZHANG Li-qiang,CAI Yi-chao,WANG Xiang-yang,XIAO Hong-tao,TIAN Hong-chang,DONG Yan-ping,FANG Zhen-yi,HAO Yong-liang.Growth of ZnS Crystals by CVD Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(1):92-95.
Authors:YANG Yao-yuan  LI Wei  ZHANG Li-qiang  CAI Yi-chao  WANG Xiang-yang  XIAO Hong-tao  TIAN Hong-chang  DONG Yan-ping  FANG Zhen-yi  HAO Yong-liang
Abstract:
Keywords:chemical vapor deposition (CVD)  zinc sulfide (ZnS)  infrared material
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