| ZnCl2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长 |
| |
| 引用本文： | 张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平.ZnCl2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长[J].微电子学,2012,42(6). |
| |
| 作者姓名： | 张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，北京市自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs (001)衬底上异质外延生长ZnSe:Cl单晶薄膜.研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe (004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432 arcsec增大到529 arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00 nm增大到3.70nm.当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求.
|
| 关 键 词： | 硒化锌 n型掺杂 分子束外延 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 |
Molecular Beam Epitaxy of CI-Doped ZnSe on GaAs (001) Substrates |
| |
| ZHANG Jiaqi
,
YANG Qiumin
,
ZHAO Jie
,
CUI Lijie
,
LIU Chao
,
ZENG Yiping.Molecular Beam Epitaxy of CI-Doped ZnSe on GaAs (001) Substrates[J].Microelectronics,2012,42(6). |
| |
| Authors: | ZHANG Jiaqi YANG Qiumin ZHAO Jie CUI Lijie LIU Chao ZENG Yiping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
